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  2. 鎂合金陽極氧化膜腐蝕過程的電化學(xué)阻抗譜研究
    2019-02-15 11:58:42 作者:錢建剛,李荻,王純,郭寶蘭 來源:北京航空航天大學(xué) 分享至:

        鎂合金是最輕的金屬結(jié)構(gòu)材料之一。鎂合金具有高的比強(qiáng)度和比剛度,良好的減震性和電磁屏蔽性,易回收、無污染等特點(diǎn)而成為一種理想的現(xiàn)代工業(yè)材料,被廣泛應(yīng)用于航空、航天、汽車、電子等工業(yè)領(lǐng)域。然而,耐蝕性差成為制約鎂合金發(fā)揮性能優(yōu)勢的主要因素。因此,鎂合金在工業(yè)應(yīng)用前必須進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚硪栽鰪?qiáng)其耐蝕性。陽極氧化是鎂合金最常見的一種表面處理方法。目前,研究鎂合金陽極氧化工藝和鎂合金基體的腐蝕較多,而對于陽極氧化處理后鎂合金的腐蝕行為研究較少。為此,本實(shí)驗(yàn)將利用電化學(xué)阻抗譜方法研究AZ91D 鎂合金陽極氧化膜層在NaCl 溶液浸泡過程中的腐蝕行為,為鎂合金陽極氧化工藝的改進(jìn)提供幫助。


        1 材料與方法

     

        實(shí)驗(yàn)所用材料為鑄鎂合金AZ91D。材料表面依次用180#,360#,800#,1500#碳化硅水磨砂紙進(jìn)行打磨,自來水清洗,去離子水清洗,丙酮擦洗晾干,置于干燥器待用。


        氧化膜制備工藝流程:化學(xué)除油(除油劑為2%;溫度為15℃~40℃;時間為2 min)→自來水漂洗→去離子水漂洗→酸處理(密度為1.42 g/ml 的HNO3 20g/L~50 g/L;溫度為室溫;時間為30 s~60 s)→自來水漂洗→去離子水漂洗→脈沖陽極氧化→自來水漂洗→去離子水漂洗→熱風(fēng)吹干→封閉處理。脈沖陽極氧化溶液配方由氫氧化鈉、硅酸鹽、硼酸鹽及添加劑組成,溶液組分中不含氟、磷、鉻及其它重金屬離子,屬于環(huán)保型。脈沖陽極氧化參數(shù)為:占空比為30%;脈沖頻率為650 Hz;峰值電流密度為45 mA/cm2;溶液溫度為15±2℃;氧化時間為10 min。封閉處理采用環(huán)保型的Si 化合物作為封閉介質(zhì)的工藝。


            電化學(xué)阻抗譜的測量是在開路電位下進(jìn)行。測量儀器為上海辰華有限公司生產(chǎn)的CHI604A 電化學(xué)分析儀。試樣為工作電極,大面積鉑片為輔助電極,飽和甘汞電極為參比電極,工作電極面積為10 mm×10mm。腐蝕介質(zhì)為 3.5%NaCl 水溶液,pH 值為6.8~7.2。用恒溫水浴控制實(shí)驗(yàn)溫度為35±1℃。用金屬網(wǎng)包覆三電極體系,起屏蔽作用。測量頻率范圍為0.01 Hz~105 Hz。測量前試樣先在測試溶液中預(yù)浸約20 min。阻抗譜的解析采用ZSimpWin 軟件。以上實(shí)驗(yàn)所用到的化學(xué)試劑均為分析純試劑,溶液均采用去離子水配制。


        2 結(jié)果與討論

     

        圖1 為AZ91D 鎂合金陽極氧化膜在35℃,pH=7的3.5%NaCl 溶液中浸泡不同時間的電化學(xué)阻抗譜圖。


        由圖1 可以看出:陽極氧化膜的電化學(xué)阻抗譜圖隨浸泡時間的增加而發(fā)生改變,這是由于氧化膜層的結(jié)構(gòu)會發(fā)生相應(yīng)改變;陽極氧化膜在剛浸泡及其后的一段時間里(0 h~10 h),電化學(xué)阻抗譜呈現(xiàn)出2 個容抗弧,1 個在高頻區(qū),另1 個在低頻區(qū),這與文獻(xiàn)[7]中所提到的經(jīng)過沸水封閉處理后的L3 鋁陽極氧化膜在0.01mol/L NaCl 溶液中的阻抗譜相似;當(dāng)氧化膜浸泡時間達(dá)到21 h 時,此時的電化學(xué)阻抗譜除原有的容抗弧外,在高頻部分又顯示出另一小容抗弧的跡象,如圖2 所示。這與文獻(xiàn)[8]中提到的20# 碳鋼在0.17 mol/LK2Cr2O7 溶液中添加NaCl 使溶液中Cl-的濃度為0.2mol/L 時,29 h 后電極表面有多個蝕孔時的電化學(xué)阻抗譜極為相似,說明此時氧化膜已經(jīng)穿孔,誘導(dǎo)期結(jié)束,進(jìn)入了孔蝕發(fā)展期。

     

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        根據(jù)文獻(xiàn),高頻區(qū)主要顯示氧化膜多孔層的性能,而低頻區(qū)則主要顯示阻擋層的性能。因此,2 個容抗弧分別對應(yīng)于氧化膜上的多孔層和阻擋層的阻抗行為。在借鑒相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上,結(jié)合所研究的實(shí)際腐蝕體系特點(diǎn),本實(shí)驗(yàn)分別采用圖3a (模型為R(RQ)(RQ) )和圖3b (模型為 R(Q(R(RQ))) )所示的等效電路來擬合陽極氧化膜層在孔蝕誘導(dǎo)期和在孔蝕發(fā)展期的電化學(xué)阻抗譜圖。

     

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        采用ZSimpWin 軟件對測量得到的陽極氧化膜浸泡期間的電化學(xué)阻抗譜進(jìn)行參數(shù)解析,考察這些參數(shù)隨時間的變化,試圖找出這些參數(shù)與腐蝕狀態(tài)的相關(guān)性。


        圖4 為利用圖3a (模型為R(RQ)(RQ) )所示的等效電路來擬合圖1 中陽極氧化膜在浸泡時間為0 h~10 h時所得各參數(shù)隨浸泡時間變化的關(guān)系。解析可得包括彌散效應(yīng)指數(shù)在內(nèi)的7 個參數(shù),分別是溶液電阻Rsol,多孔層電阻Rp,多孔層表面/介質(zhì)界面的常相位角元件Qp 的電容Yp 和彌散效應(yīng)指數(shù)np,阻擋層電阻Rb,阻擋層表面/介質(zhì)界面的常相位角元件Qb 的電容Yb 和彌散效應(yīng)指數(shù)nb。

     

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        由圖4a 可以看出,溶液電阻Rsol 很小,在浸泡初期Rsol 值略有升高,然后趨于穩(wěn)定。從圖4b 和圖4c可知:多孔層電阻Rp 隨浸泡時間的延長而減小;而多孔層的電容Yp 則隨浸泡時間的延長而增大。這可能是因?yàn)樵诮莩跗冢娊赓|(zhì)溶液進(jìn)入多孔層,因此,初期的Rp 值有較大幅度的下降,隨著多孔層溶液含量趨于“飽和”時,Rp 值變化也就趨于緩慢。而電容Yp則由于溶液進(jìn)入多孔層后,隨多孔層的粗糙度增加而增大。由圖4d 可見,彌散效應(yīng)指數(shù)np 值與浸泡時間的變化基本無關(guān),這與文獻(xiàn)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果相吻合。圖4e 說明,阻擋層電阻Rb 隨浸泡時間的延長而減小,這可能是由于鎂合金陽極氧化膜的阻擋層存在若干微觀缺陷(如微裂紋)和薄弱部位,浸泡溶液仍能滲透到阻擋層,從而引起Rb 值隨浸泡時間的延長而減小。在擬合結(jié)果中(圖4f 和圖4g),阻擋層的電容Yb 和彌散效應(yīng)指數(shù)nb 與浸泡時間的關(guān)系均沒有明顯的規(guī)律性。


        按照孔蝕過程的電化學(xué)機(jī)理,在孔蝕發(fā)展期,電極表面存在2 個不同的反應(yīng)區(qū):1 個是發(fā)生在蝕孔內(nèi)基底金屬面上的反應(yīng);另1 個是發(fā)生在孔外氧化膜表面上的反應(yīng)。前者電極電位要負(fù)于后者電極電位,故在兩者短路耦合時,蝕孔內(nèi)的金屬表面上主要進(jìn)行陽極溶解反應(yīng)。與氧化膜表面的陰極區(qū)相比,蝕孔內(nèi)的陽極區(qū)的面積要小得多,故蝕孔內(nèi)的陽極電流密度很大,從而使蝕孔內(nèi)溶液中的歐姆電位降不可忽略。此時可用模型為 R(Q(R(RQ)))來擬合電化學(xué)阻抗譜。


        圖5 為利用圖3b(模型為 R(Q(R(RQ))) )所示的等效電路來擬合圖1 中陽極氧化膜在浸泡時間為21 h~48 h 時所得各參數(shù)隨浸泡時間變化的關(guān)系。解析可得包括2 個彌散效應(yīng)指數(shù)在內(nèi)的7 個參數(shù),分別是溶液電阻Rsol,氧化膜表面/介質(zhì)界面的常相位角元件Q1的電容Y1 和彌散效應(yīng)指數(shù)n1,蝕孔內(nèi)溶液電阻R1,蝕孔內(nèi)陽極金屬/介質(zhì)界面的常相位角元件Q2 的電容Y2和彌散效應(yīng)指數(shù)n2,蝕孔內(nèi)的反應(yīng)電阻R2。從圖5a可看出,溶液電阻Rsol 隨浸泡時間的延長逐漸減小。這可能是由于隨浸泡時間的延長腐蝕加劇,從而使溶液中的離子數(shù)量增多引起的。從圖5b 可知,電容Y1隨浸泡時間的延長而增大。這是因?yàn)閅1 隨固體腐蝕產(chǎn)物在氧化膜表面的沉積和氧化膜表面的粗糙度的增加而增大。從圖5c 可見,彌散效應(yīng)指數(shù)n1 隨浸泡時間的延長而減小,即氧化膜上的彌散效應(yīng)增大。Mansfeld認(rèn)為彌散效應(yīng)同電極表面的粗糙度和電流分布的不均勻程度有關(guān)。隨著浸泡時間的延長即腐蝕的進(jìn)行,一方面氧化膜的蝕孔數(shù)增多與擴(kuò)大,使氧化膜表面的粗糙度增加,另一方面在氧化膜表面上沉積有固體的腐蝕產(chǎn)物,影響了電流的分布,因此,氧化膜上彌散效應(yīng)指數(shù)隨之減小。蝕孔內(nèi)溶液電阻R1 應(yīng)與蝕孔中的溶液濃度、蝕孔個數(shù)及尺寸有關(guān),而蝕孔內(nèi)陽極金屬/介質(zhì)界面的常相位角元件Q2 的電容Y2 及彌散效應(yīng)指數(shù)n2與蝕孔中的電極過程及各種影響因素和蝕孔個數(shù)有關(guān)。在擬合結(jié)果中(圖5),它們與浸泡時間的關(guān)系均沒有明顯的規(guī)律性,但氧化膜表面/介質(zhì)界面的常相位角元件Q1 的電容Y1 和彌散效應(yīng)指數(shù)n1 及蝕孔內(nèi)的反應(yīng)電阻R2 隨浸泡時間的變化存在一定的規(guī)律。從圖5g 可知,蝕孔內(nèi)的反應(yīng)電阻R2 隨浸泡時間的延長而減小。這是因?yàn)橐坏┭趸ご┛祝g介質(zhì)NaCl 與鎂合金基體接觸,鎂合金的腐蝕加快,蝕孔內(nèi)的反應(yīng)電阻R2 就減小。隨著腐蝕的繼續(xù)進(jìn)行,蝕孔底部金屬鎂(陽極)便發(fā)生溶解,即:

     

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        陰極為析氫反應(yīng)(蝕孔外表面),即:

     

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        蝕孔內(nèi)的鎂離子不斷增加,在孔蝕電池產(chǎn)生的電場作用下,蝕孔外的陰離子(Cl-)不斷向孔內(nèi)遷移、富集,孔內(nèi)Cl-離子濃度升高。同時由于孔內(nèi)鎂離子濃度的升高并發(fā)生水解,即:

     

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        文獻(xiàn)證實(shí)表面沉積NaCl 的鎂合金在純空氣環(huán)境中腐蝕時腐蝕產(chǎn)物中含有Mg2(OH)3Cl.3H2O),結(jié)果使孔內(nèi)溶液H+ 濃度升高,pH 值降低,溶液酸化,相當(dāng)于使蝕孔內(nèi)鎂合金處于HCl 介質(zhì)中,處于活化溶解狀態(tài),使蝕孔內(nèi)的反應(yīng)電阻R2 不斷降低,腐蝕不斷向前發(fā)展。水解產(chǎn)生的H+ 和孔內(nèi)的Cl-又促使蝕孔側(cè)壁鎂合金的繼續(xù)溶解,發(fā)生自催化反應(yīng),即:

     

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        蝕孔口形成的Mg(OH)2 腐蝕產(chǎn)物沉積層,阻礙了擴(kuò)散和對流,使蝕孔內(nèi)溶液得不到稀釋,從而造成了上述閉塞電池效應(yīng)。

     

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        3 結(jié)論

     

        1) 在孔蝕誘導(dǎo)期,隨浸泡時間的延長,溶液電阻Rsol 和多孔層的電容Yp 有所增大,多孔層電阻Rp 和阻擋層電阻Rb 逐漸減小,彌散效應(yīng)指數(shù) np 值基本不變,而阻擋層的電容Yb 和彌散效應(yīng)指數(shù)nb 的變化無明顯的規(guī)律性。


        2) 在孔蝕發(fā)展期,隨浸泡時間的延長,溶液電阻Rsol,彌散效應(yīng)指數(shù)n1 和蝕孔內(nèi)的反應(yīng)電阻R2 逐漸減小,電容Y1 逐漸增大,而蝕孔內(nèi)溶液電阻R1,蝕孔內(nèi)陽極金屬/介質(zhì)界面的常相位角元件Q2 的電容Y2 及彌散效應(yīng)指數(shù)n2 的變化無明顯的規(guī)律性。

     

     

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