美國(guó)伊利諾伊大學(xué)的研究人員發(fā)明了一種化學(xué)腐蝕新技術(shù)，可以在砷化鎵（GaAs）中生成圖形化陣列。該技術(shù)使高端光電裝置的制備變得更容易。相關(guān)研究論文于11月3日在線發(fā)表在《納米快報(bào)》（Nano Letters）上。
   
       通常用兩種方法來進(jìn)行半導(dǎo)體腐蝕：濕法腐蝕和干法腐蝕。在光電應(yīng)用方面，III-V族半導(dǎo)體GaAs是比硅性能更好的半導(dǎo)體材料。大的寬高比結(jié)構(gòu)對(duì)高端光電裝置應(yīng)用至關(guān)重要，但是GaAs難以用傳統(tǒng)干法腐蝕來得到大的寬高比結(jié)構(gòu)。李秀玲（Xiuling Li）領(lǐng)導(dǎo)的小組優(yōu)化了MacEtch方法（金屬輔助化學(xué)腐蝕方法），同時(shí)為了在GaAs表面生長(zhǎng)金屬薄膜圖案，李秀玲小組完善出一種軟刻蝕技術(shù)。李秀玲說，結(jié)合軟刻蝕技術(shù)和MacEtch方法可以以低成本的方式大面積生產(chǎn)高寬高比的III-V族納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體。
   
       李秀玲表示，只要找到合適的刻蝕條件，MacEtch方法就可以廣泛應(yīng)用。