第一階段（0～100h）為氧化初始階段，表面開始形成Al2O3氧化膜，氧化速率較高；

 

    第二階段（100h～200h）為氧化穩(wěn)定階段，連續(xù)致密的α-Al2O3氧化膜完全形成，有效阻礙了外界的氧通過氧化膜向基體擴散；

 

    第三階段（200h～400h）氧化速率重新出現(xiàn)增長趨勢，這是由于涂層在高溫環(huán)境下，隨著保溫時間的延長，表面氧化膜逐漸增厚，涂層生長應(yīng)力增加，導(dǎo)致涂層局部產(chǎn)生微裂紋甚至脫落，內(nèi)層的Al持續(xù)擴散至表面形成新的Al2O3氧化膜。根據(jù)HB5258-2000標(biāo)準(zhǔn)，K447A合金滲AlSi涂層后在1050℃下恒溫氧化400h，其氧化速度為0.086g/（m2?h），屬于完全抗氧化級。

 

   由元素面分布可知，涂層中的Si元素主要在內(nèi)層富集，AlSi涂層中的Si明顯向內(nèi)擴散而在內(nèi)層形成峰值，即硅富集在內(nèi)層的碳化物中，它們對涂層元素和基體元素之間的互擴散起一定的阻礙作用，這種阻礙作用有利于延長涂層的使用壽命。據(jù)研究結(jié)果[7]認(rèn)為，AlSi涂層中Si通過與W、Mo元素結(jié)合成第二相，能夠起到使W、Mo固結(jié)在涂層內(nèi)層的作用。因此，內(nèi)層保持足夠高的硅含量可以使涂層獲得更佳的抗氧化性能。