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  2. 浙大高超教授團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)高溫穩(wěn)定高導(dǎo)電石墨烯膜,可用于電磁屏蔽防護(hù)
    2021-04-20 13:58:03 作者:石墨烯聯(lián)盟 來源:納米高分子高超課題組 分享至:

    電子通訊設(shè)備的快速發(fā)展,伴隨著嚴(yán)重的電磁干擾問題,常常導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定甚至設(shè)備損害。電磁波污染甚至和人體接觸影響我們的身體健康。為降低這些風(fēng)險(xiǎn),超輕、柔性電磁屏蔽材料的開發(fā)是至關(guān)重要的。通常,材料的電磁屏蔽性能主要受到其本征導(dǎo)電率的影響,因此高導(dǎo)電的金屬材料成為了最商業(yè)化的屏蔽材料。但是,金屬材料存在著密度高、易腐蝕及固有的剛性等問題,極大限制了其實(shí)際應(yīng)用。


    由于碳納米材料具有較高柔性、超高導(dǎo)電率及化學(xué)惰性等優(yōu)點(diǎn),使其在電磁防護(hù)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用潛力。其中,二維石墨烯的導(dǎo)電性能最為優(yōu)異,可達(dá)到108 S/m,引起了廣泛的關(guān)注。然而,宏觀組裝石墨烯膜中石墨烯片層間存在強(qiáng)電子耦合效應(yīng),導(dǎo)致其僅僅只有~106 S/m的導(dǎo)電率。目前,利用化學(xué)摻雜提高宏觀石墨烯材料的載流子濃度和抑制層間耦合效應(yīng),已成為常用的策略。本組曾報(bào)道通過氯化鉬(MoCl5)插層石墨烯膜可顯著的提高其導(dǎo)電率達(dá)到1.73×107 S/m,且實(shí)現(xiàn)了在空氣中性能保持穩(wěn)定。但是,在高溫環(huán)境中,MoCl5摻雜劑也極易從石墨烯層間脫除,從而導(dǎo)致石墨烯插層膜導(dǎo)電率嚴(yán)重降低,限制了其在許多極端環(huán)境中的電磁屏蔽應(yīng)用。


    本文亮點(diǎn):


    (1)制備了低密度、結(jié)構(gòu)均勻的氯化銅(CuCl2)摻雜石墨烯膜(GF),證實(shí)了其導(dǎo)電率可達(dá)到1.09×107 S/m,比導(dǎo)電率超過大部分金屬材料。


    (2)解決了摻雜石墨烯材料溫度穩(wěn)定性差的難題,發(fā)現(xiàn)了GF-CuCl2的溫阻系數(shù)僅有4.31×10-4 K-1,熱穩(wěn)定性可達(dá)到400 ℃,可長時間在200 ℃環(huán)境中工作使用,導(dǎo)電率基本維持不變;通過DFT計(jì)算揭示了其高溫穩(wěn)定性的原理。


    (3)證明了35 μm摻雜石墨烯膜的電磁屏蔽效能可達(dá)到126 dB,在相同的厚度下其屏蔽性能高于大多數(shù)文獻(xiàn)報(bào)道的材料;且發(fā)現(xiàn)此材料在超低溫、高溫及腐蝕性環(huán)境中都可保持性能穩(wěn)定。 


    內(nèi)容簡介:


    浙江大學(xué)高分子系高超教授(共同通訊)、許震研究員(共同通訊)、劉英軍副研究員(共同通訊)團(tuán)隊(duì),利用氯化銅作為摻雜劑,實(shí)現(xiàn)了低密度、高柔性、耐高溫、高導(dǎo)電摻雜石墨烯膜材料的制備。相比于純石墨烯膜,其載流子濃度、載流子遷移率均有所提高,比導(dǎo)電率超過大部分金屬。此外,摻雜石墨烯膜具有極高的電磁屏蔽效能,在高低溫、腐蝕性等極端環(huán)境中都可穩(wěn)定使用。

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    圖1 (A) GF-CuCl2的制備示意圖。(B) GF-CuCl2的結(jié)構(gòu)示意圖。GF的晶格結(jié)構(gòu) (C) 和電子衍射 (D)。(E-F) GF-CuCl2的高分辨TEM圖。

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    圖2 GF 和GF-CuCl2的XPS (A),XRD (B)及Raman (C)光譜表征。(D-G) GF-CuCl2的表面形貌及元素成像。(H-K) GF-CuCl2的斷面形貌及元素成像。

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    圖3 (A) GF和GF-CuCl2的功函數(shù)對比。(B) GF和GF-CuCl2導(dǎo)電率與溫度之間的依賴關(guān)系。(C) GF和GF-CuCl2導(dǎo)電率比較圖。(D) GF-CuCl2和金屬導(dǎo)體的比導(dǎo)電率對比。

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    圖4 (A) GF-CuCl2和GF-MoCl5的熱失重分析對及DFT結(jié)合能計(jì)算。(B) GF-CuCl2導(dǎo)電率與溫度和時間的關(guān)系曲線。在200℃下長時間處理,GF-CuCl2 (C) 和GF-MoCl5 (D) 的導(dǎo)電率對比及經(jīng)過12h熱處理前后,GF-CuCl2和GF-MoCl5的截面形貌對比。

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    圖5 (A) GF和GF-CuCl2的電磁屏蔽性能。GF-CuCl2在200 ℃ 高溫(B)、超低溫的液氮 (C) 和浸泡溶劑 (D)后的電磁屏蔽性能對比。(E) GF-CuCl2經(jīng)彎折循環(huán)之后的電磁屏蔽性能對比。(F)電磁屏蔽材料性能比較。


    該工作在高超教授團(tuán)隊(duì)前期積累和前人經(jīng)驗(yàn)總結(jié)的基礎(chǔ)上完成(Chem. Mater., 2014,26, 67-86;Acc. Chem. Res., 2014, 47(4), 1267-1276;Chem. Rev., 2015, 115(15), 7046?7117;Adv. Mater., 2017, 1700589; Nanoscale, 2017, 9, 18613–18618; Carbon, 2019, 155, 462-468;Carbon, 2020, 156, 205-211)。相關(guān)成果以“Highly conductive graphene film with high-temperature stability for electromagnetic interference shielding”為題發(fā)表在Carbon(Doi: 10.1016/j.carbon.2021.04.027)。論文的第一作者為高超團(tuán)隊(duì)的博士生龐凱和博士后劉曉婷。該論文得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金、浙江大學(xué)百人計(jì)劃等相關(guān)經(jīng)費(fèi)的資助。

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