雜原子摻雜納米碳膜可以有效的增加微孔超級電容器贗電容；然而，晶片尺寸制備可調整厚度和均勻摻雜微孔超級電容器硫摻雜石墨烯膜仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)。這里，我們的展示了自頂向上的制備持續(xù)，均一和超薄硫來自三硫環(huán)六苯并蒄摻雜石墨烯片膜，得到具有標志性的電容量超速微孔超級電容器。通過噴霧覆蓋SHBC膜熱退火制備SG膜，在800℃下30min薄的金保護層協助下。具有12苯硫基團邊緣修飾的SHBC，在作為持續(xù)的和超薄的SG膜形成的前驅體是至關重要的，具有一致的約10.0nm厚度。顯著的，制備的所有固體平面SG-MSCs顯示了一個高穩(wěn)定性的贗電容行為，其電容量在10 mV s?1?582 F cm?3,優(yōu)異的倍率性能和在超速率下2000 V s?1顯著的容量，超高頻率響應和0.26 ms短暫的時間常數，？1191 W cm?3超高能量密度。值得注意的是這些值是碳基MSCs迄今報道得到的最高的值。

    圖1.SHBC-衍生SG膜的示意圖

    圖2. SG, SHBC400和SHBC膜的結構表征

    該工作已經發(fā)表于JACS上。

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