博士后招聘方向

    1.理論：功能半導(dǎo)體材料的密度泛函理論計(jì)算

    2.實(shí)驗(yàn)：新型非易失存儲(chǔ)器、憶阻器、神經(jīng)形態(tài)器件（包括二維器件）等半導(dǎo)體微納電子器件的制備、測(cè)試和表征

    課題組和導(dǎo)師簡(jiǎn)介：

    課題組2017年2月成立，圍繞新型半導(dǎo)體信息器件和材料，開展實(shí)驗(yàn)和理論研究。自有研究條件包括DFT計(jì)算軟件CASTEP、VASP、ATK，計(jì)算服務(wù)器清華超算、無錫超算、UK超算，薄膜生長(zhǎng)設(shè)備磁控濺射儀、脈沖激光沉積系統(tǒng)，器件測(cè)試平臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、探針臺(tái)，材料表征設(shè)備原子力顯微鏡。學(xué)校擁有微納加工公共平臺(tái)。課題組于2018年11月在神經(jīng)形態(tài)器件方面取得重要進(jìn)展。

    （https://doi.org/10.1002/adma.201805769）

    課題組PI李黃龍助理教授，2014年取得劍橋大學(xué)電子工程博士學(xué)位、2010年取得北京大學(xué)物理本科學(xué)位。

    博士后創(chuàng)新人才支持計(jì)劃（2019年2月25日截止）：

    要求1987年1月1日后出生，取得博士學(xué)位3年內(nèi)，優(yōu)先2019年應(yīng)屆博士畢業(yè)生。國(guó)家資助每人兩年共60萬元，其中40萬元為博士后日常經(jīng)費(fèi)，20萬元為博士后科學(xué)基金；學(xué)校額外資助每人兩年共10萬元博士后日常經(jīng)費(fèi)。

    此外，按照現(xiàn)行政策，出站后可解決本人、配偶和子女北京戶口。

    計(jì)劃每年招聘人數(shù)（常年）：

    博士后：1-2名，每個(gè)方向一名

    招聘要求：

    精通所應(yīng)聘的研究方向所需實(shí)驗(yàn)工具，有較強(qiáng)的溝通、理解、英文寫作能力，近2-3年以第一作者發(fā)表過大類領(lǐng)域的高影響力文章，可獨(dú)立開展課題。

    應(yīng)聘方法：

    發(fā)送簡(jiǎn)歷至  li_huanglong@tsinghua.edu.cn

    注明“博士后應(yīng)聘”。