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  2. 氮分壓對金屬鈾表面CrN薄膜結(jié)構(gòu)與腐蝕性能的影響
    2014-08-15 10:34:12 作者:本站整理來源:
     朱生發(fā)*,吳艷萍*,劉天偉+,唐凱*,魏強*
    *(中國工程物理研究院,綿陽 621900)+(表面物理與化學(xué)重點實驗室,綿陽 621700)

      摘要:金屬鈾具有獨特的核性能,在核工業(yè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,但其化學(xué)性質(zhì)十分活潑,在高濕和鹽霧環(huán)境中極易遭受腐蝕,因而解決鈾的易腐蝕問題已成為其應(yīng)用的關(guān)鍵工程技術(shù)之一。早在上世紀(jì)60年代, Bland 等采用蒸發(fā)鍍、磁控濺射離子鍍等技術(shù)在鈾表面制備Al、Cu、Ni等鍍層,取得了一定的效果。我國從20 世紀(jì)末開始鈾表面磁控濺射鍍鋁、鋁鈦復(fù)合鍍層,多弧鍍Ti/TiN多層膜, 有效改善了基體的抗腐蝕性能。CrN薄膜具有更高的硬度, 良好耐磨性、抗氧化、抗腐蝕性能,更低的內(nèi)應(yīng)力。因此,本工作采用磁控濺射技術(shù)在金屬鈾表面制備CrN薄膜, 采用掃描電鏡、X射線衍射儀、X射線光電子能譜及動電位極化曲線研究氮分壓對CrN薄膜組織結(jié)構(gòu)與腐蝕性能的影響。

      實驗結(jié)果與分析:

      采用SEM對薄膜斷面形貌分析表明,當(dāng)?shù)謮狠^小時,生成的薄膜呈纖維狀結(jié)構(gòu),當(dāng)?shù)謮涸龃蟮?.2×10-2 Pa時,薄膜的致密性明顯增加,柱狀晶基本消失,進(jìn)一步增大氮分壓,生成的薄膜結(jié)構(gòu)又逐漸呈現(xiàn)柱狀晶形貌,與氮流量較低時的結(jié)構(gòu)非常相似。

      XRD圖譜分析發(fā)現(xiàn),隨著氮分壓的變化,薄膜的物相結(jié)構(gòu)由不同比例的立方相Cr、六方Cr2N和立方CrN構(gòu)成。在較低氮分壓時,薄膜主要為體心立方的α-Cr.與無氮環(huán)境下制備的金屬Cr膜相比,其衍射峰強度減小,半高寬增大,其衍射峰位向低角度方向發(fā)生了偏移,這可能是由于薄膜中氮含量的增加,造成薄膜的晶格發(fā)生膨脹和變形所致。當(dāng)?shù)謮涸龃蟮?.2×10-2 Pa時,形成了Cr2N,當(dāng)?shù)謮豪^續(xù)增大時, 產(chǎn)生的氮離子增多, 氮離子與Cr離子反應(yīng)較充分, 生成的薄膜為Cr2N+CrN混合相。

      XPS分析表明,當(dāng)?shù)謮狠^低時,薄膜中氮原子的含量約為10at%,隨著氮分壓的增大,薄膜表面的Cr元素的含量下降,而氮元素的含量呈線性增加,當(dāng)?shù)謮涸龃蟮?.2×10-2 Pa時,  氮原子的相對含量達(dá)到30at%.XRD分析發(fā)現(xiàn)薄膜中生成了Cr2N相,這與Cr-N二元平衡相圖的結(jié)果基本一致。

      電化學(xué)極化曲線測試表明,在金屬鈾表面制備一層CrN薄膜后,其極化曲線發(fā)生正移,自然腐蝕電位增大,腐蝕電流密度明顯降低,在氮分壓為9.2×10-2 Pa時獲得的薄膜的自然腐蝕電位提高了近550 mV左右,腐蝕電流密度降低約兩個數(shù)量級,薄膜表面出現(xiàn)“偽鈍化”現(xiàn)象,其擊穿電位大幅提高,有效改善了貧鈾表面的抗腐蝕性能。

      結(jié)論:

      采用磁控濺射技術(shù)在金屬鈾表面制備了CrN薄膜,氮分壓對薄膜的致密性具有較大的影響,薄膜結(jié)構(gòu)隨著氮分壓的變化而變化,鍍膜金屬鈾的腐蝕電位大幅提高,腐蝕電流密度急劇下降,有效改善了貧鈾的抗腐蝕性能。

      關(guān)鍵詞:金屬鈾,氮分壓,薄膜,腐蝕性能

      聯(lián)系方式

      朱生發(fā):zhushf306@163.com

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