【名稱】光譜研究金屬及合金之緩蝕劑的作用及其擇優(yōu)化表面技術(shù)

【申請(qǐng)（專利）號(hào)】CN201210091219.8

【公開（公告）號(hào)】CN102621093A

【申請(qǐng)人】上海大學(xué)

【發(fā)明人】方建慧,霍勝娟,祝卿,褚晨盛

【申請(qǐng)日期】2012-3-31

【公開（公告）日期】2012-8-1

【專利說明】一種以光譜學(xué)與金屬的腐蝕相結(jié)合手段，研究表面緩蝕劑，用于優(yōu)化保護(hù)金屬及合金的方法，其特征在于以半圓形硅柱為研究載體，其表面化學(xué)鍍金，再將該柱體安裝于專一設(shè)計(jì)的光譜電解池中，并固定光譜電解池在全反射的光路中，電沉積研究對(duì)象的金屬，利用流動(dòng)換液裝置，將緩蝕劑溶液包括無機(jī)及有機(jī)或有機(jī)高分子類溶液注入光譜池中并靜置幾小時(shí)，使電池表面自組裝上緩蝕分子;運(yùn)用原位表面增強(qiáng)紅外光譜技術(shù)對(duì)上述樣品進(jìn)行電位調(diào)制分析，獲取有效參數(shù)，從而強(qiáng)化對(duì)緩蝕劑選擇。

【摘要】光譜研究金屬及合金之緩蝕劑的作用及其擇優(yōu)化表面技術(shù)。本發(fā)明屬于光譜學(xué)與金屬腐蝕與防護(hù)技術(shù)相結(jié)合的技術(shù)領(lǐng)域。固定光譜電解池（如圖）由以半圓形硅柱2作載體，表面化學(xué)鍍金，電沉積被研究對(duì)象的金屬為電極1(銅線8相接)，對(duì)電極純鉑電極3，及參比飽和甘汞電極4，進(jìn)出N2氣口5，6構(gòu)成，并置全反射的光路中，以溶液進(jìn)出口7,將緩蝕劑于池中換液，并靜置數(shù)小時(shí)，使電極表面自組裝上緩蝕劑分子。用原位表面增強(qiáng)紅外光譜，對(duì)上樣品進(jìn)行電位調(diào)制分析。與以往技術(shù)相比，其通過在紅外窗口半圓形硅柱上，鍍金屬納米薄膜為電極，又利用原位表面增強(qiáng)紅外技術(shù)，研究不同緩蝕劑分子在金屬表面隨電位變化的吸附構(gòu)型，了解緩蝕劑作用過程，使此技術(shù)在金屬或合金防蝕與保護(hù)上有更有效的廣泛應(yīng)用。