導(dǎo)師姓名：林昌健

　　職 稱(chēng)：教授

　　工作單位（院系）：廈門(mén)大學(xué)固體表面物理化學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

　　導(dǎo)師點(diǎn)評(píng)：

　　局部腐蝕機(jī)理的深層次認(rèn)識(shí)很大程度上依賴于先進(jìn)研究方法的發(fā)展和運(yùn)用。該論文作者能創(chuàng)新性地發(fā)展和應(yīng)用多種掃描電化學(xué)微電極技術(shù)研究局部腐蝕行為，獲得不少全新的研究信息，對(duì)深入認(rèn)識(shí)金屬局部腐蝕發(fā)生、發(fā)展過(guò)程機(jī)理有重要意義。

　　星之論點(diǎn)：

　　基于傳統(tǒng)電化學(xué)與掃描電微探針技術(shù)的局部腐蝕方法的研究

　　局部腐蝕是一類(lèi)危險(xiǎn)性的腐蝕形式，長(zhǎng)期以來(lái)是腐蝕科學(xué)研究中一個(gè)熱點(diǎn)和前沿的方向，但由于局部腐蝕發(fā)生發(fā)展過(guò)程的復(fù)雜性，至今對(duì)機(jī)理的認(rèn)識(shí)還有待進(jìn)一步深化。電化學(xué)技術(shù)作為金屬腐蝕研究最重要的手段，可分為宏觀和局部?jī)煞N，其中掃描微電極技術(shù)是研究局部腐蝕最有效的手段。為了對(duì)局部腐蝕有更深入的認(rèn)識(shí)，必須在不斷改進(jìn)已有的技術(shù)或發(fā)展新的研究方法，我們長(zhǎng)期致力于對(duì)掃描微探針技術(shù)的延伸和開(kāi)拓，從國(guó)內(nèi)第一臺(tái)微區(qū)電位分布測(cè)試系統(tǒng)到微區(qū)電位分布測(cè)試與掃描隧道技術(shù)聯(lián)用系統(tǒng)，不僅提高了微區(qū)分布測(cè)試系統(tǒng)的分辨率和靈敏度，而且還可得到金屬表面的形貌信息，實(shí)現(xiàn)了對(duì)局部活性點(diǎn)的定位構(gòu)性的相關(guān)聯(lián)研究。首先通過(guò)STM精確控制掃描探針與電極表面的距離，然后通過(guò)微區(qū)電位分布測(cè)試系統(tǒng)得到并將探針定位到電極表面的局部腐蝕活性點(diǎn)位置，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)局部腐蝕點(diǎn)為位置垂直方向上電位分布、物質(zhì)濃度分布等信息的測(cè)試。研究表明，垂直方向上電位分布和物質(zhì)濃度分布在腐蝕活性區(qū)域和鈍化區(qū)域有著明顯的差異，通過(guò)對(duì)比分析可知這種差異是由電荷傳遞和物質(zhì)傳輸行為的不同引起的。此外，我們還可以方便地與傳統(tǒng)的電化學(xué)學(xué)工作站聯(lián)用，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電化學(xué)方法與掃描技術(shù)法、宏觀方法與微區(qū)方法的原位對(duì)比測(cè)試，為宏觀和微觀方法的差異研究提供有效的技術(shù)支撐。