氫損傷也稱氫脆，包括氫壓引起的微裂紋、高溫高壓氫腐蝕、氫化物相或氫致馬氏體相變、氫致塑性損失等。嚴(yán)格來說，氫脆主要涉及金屬韌性的降低，而氫損傷除涉及韌性降低和開裂外，還包括金屬材料其它物理性能或化學(xué)性能的下降，因此含義更為廣泛。氫脆的評價方法有彎曲次數(shù)法、斷面收縮率比較法、σ-tf法、氫滲透法和反射性同位素照相法等。

   彎曲次數(shù)法是指應(yīng)用板狀試樣，在特制的夾具上對試樣進(jìn)行一定角度的彎曲，通常是120°，反復(fù)彎曲，直至試樣斷裂，記下彎曲的總次數(shù)n,應(yīng)用公式計算氫脆系數(shù)，以此來評價材料的氫脆敏感性。

   斷面收縮率比較法是指應(yīng)用拉伸試樣，在一定的拉伸速度下，測量含氫試樣和不含氫試樣斷裂時的斷面收縮率ψ和ψ0,應(yīng)用公式計算出氫脆系數(shù)，以此來評價材料的氫脆敏感性。

   σ-tf法即試樣在一定氫氣氛（環(huán)境氫脆）或大氣中（內(nèi)部氫脆），給予一定的應(yīng)力σ（若是在液體氣氛中，還可以給予一定的電位），測量試樣至斷裂的時間tf.最后把實驗結(jié)果描成曲線σ-tf圖。

   氫的放射性同位素照相法是一種用于直接捕獲氫陷阱方法。因為氫陷阱是造成氫脆過程的重要因素，所以測得氫陷阱區(qū)的大小和密度，可直接用于氫脆敏感性及機理的評價。該方法系以氫的放射性同位素氚充入試樣，當(dāng)氚被各陷阱捕獲時即能在覆于試樣表面的感光乳膠膜上曝光而留下陷阱的痕跡。放射性同位素的樣品即可做成薄膜，也可以做成復(fù)型，然后在透射式掃描電子顯微鏡下觀察。

   國家材料環(huán)境腐蝕平臺具有多年的材料氫脆研究積累和先進(jìn)的試驗儀器，可為用戶提供包括典型材料或構(gòu)件的氫脆評價服務(wù)。并可以提供氫脆試驗、研究咨詢和相關(guān)的技術(shù)解決方案。