晶間腐蝕是金屬材料在特定的腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生腐蝕，而使材料性能降低的現(xiàn)象。不銹鋼、鋁及鋁合金、銅合金和鎳合金都會發(fā)生晶間腐蝕。晶間腐蝕試驗方法一般可分為三類：現(xiàn)場掛片試驗、實驗室模擬試驗和實驗室加速試驗。從原理上看，各種試驗方法都是通過選擇適當?shù)那治g劑和侵蝕條件加速對晶界區(qū)的腐蝕。通?？梢圆捎没瘜W浸泡和電化學方法實現(xiàn)。

      晶間腐蝕是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間界發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài)。晶間腐蝕從金屬材料表面開始，沿著晶界向內(nèi)部發(fā)展，使晶粒間的結(jié)合力喪失，以致材料的強度幾乎完全消失。例如，經(jīng)受這種腐蝕的不銹鋼材料，外表雖然還十分光亮，但輕輕敲擊可能碎成細粉。因此，晶間腐蝕是一種危害性很大的局部腐蝕。
       晶間腐蝕的產(chǎn)生必須具備兩個條件：①晶界物質(zhì)的物理化學狀態(tài)與晶粒不同；②特定的環(huán)境因素。晶間腐蝕常在不銹鋼、鎳基合金、銅合金等合金上發(fā)生，主要在焊接接頭上或經(jīng)一定熱處理后使用時發(fā)生。晶間腐蝕不僅導致材料的承載能力降低，而且誘發(fā)晶間型應(yīng)力腐蝕開裂，或引發(fā)點腐蝕。
晶間腐蝕的根本原因是晶粒間界及其附近區(qū)域與晶粒內(nèi)部存在電化學上的不均勻性，這種不均勻性是金屬材料在熔煉、焊接和熱處理等過程中造成的。例如：①晶界析出第二相，造成晶界某一合金成分的貧乏化；②晶界析出易于腐蝕的陽極相；③雜質(zhì)與溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析；④晶界區(qū)原子排列雜亂，位錯密度高；⑤新相析出或轉(zhuǎn)變，造成晶界處較大的內(nèi)應(yīng)力。這些原因均可能構(gòu)成特定體系的晶間腐蝕機理模型?？傊?，當某種介質(zhì)與金屬所共同決定的電位下，晶界的溶解電流密度遠大于晶粒本身的溶解電流密度時，便可產(chǎn)生晶間腐蝕。