氫損傷也稱氫脆，包括氫壓引起的微裂紋、高溫高壓氫腐蝕、氫化物相或氫致馬氏體相變、氫致塑性損失等。氫脆主要涉及金屬韌性的降低，而氫損傷除涉及韌性降低和開(kāi)裂外，還包括金屬材料其它物理性能或化學(xué)性能的下降，因此含義更為廣泛。

彎曲次數(shù)法

       應(yīng)用板狀試樣，在特制的夾具上對(duì)試樣進(jìn)行一定角度的彎曲，通常是120°,反復(fù)彎曲，直至試樣斷裂，記下彎曲的總次數(shù)n,則氫脆系數(shù)α可表示如下：

α=（n空-n氫）/n空

式中，n空為不含（或?qū)Ρ仍嚇樱澢翑嗔训拇螖?shù)。n氫為充氫（或含氫試樣）彎曲至斷裂的次數(shù)。當(dāng)α為零時(shí)，說(shuō)明金屬度氫脆不敏感；而當(dāng)α為1時(shí)，則極為敏感。

斷面收縮率比較法

       應(yīng)用拉伸試樣，在一定的拉伸速度下，測(cè)量試樣斷裂時(shí)的斷面收縮率ψ,其氫脆系數(shù)可表示為：
 

式中， ψ_o為空白試樣的斷面收縮率，ψ為含氫試樣的斷面收縮率。α在0 ~ 1之間變化，α愈小，說(shuō)明氫脆敏感性愈小。

σ-t_f 法

       σ-t_f 法即試樣在一定氫氣氛（環(huán)境氫脆）或大氣中（內(nèi)部氫脆），給予一定的應(yīng)力σ（若是在液體氣氛中，還可以給予一定的電位），測(cè)量試樣至斷裂的時(shí)間tF.最后把實(shí)驗(yàn)結(jié)果描成曲線σ-t_f 圖。

氫滲透法

       將試片作為研究電極，夾在兩電池中間，其中一池注入3%NaCl +0.5%HAc的飽和硫化氫溶液。另一池注入0.2NNaOH溶液。為保證原子氫全部被吸收，需將處NaOH溶液一側(cè)的試片表面鍍鎳，并施加-0.2V的恒定電位。實(shí)驗(yàn)開(kāi)始，先往左池注入0.2NNaOH溶液；并施加-0.2V的恒定電位，對(duì)溶液進(jìn)行極化。除去雜質(zhì)，直至極化電流小于6 μ A/cm2,待恒定時(shí)，右室用H2S氣體將空氣驅(qū)除干凈，并由一封閉體系注入硫化氫溶液，同時(shí)記錄儀記錄時(shí)間-電流曲線。

反射性同位素照相法

       氫的放射性同位素照相法是一種用于直接捕獲氫陷阱方法。因?yàn)闅湎葳迨窃斐蓺浯噙^(guò)程的重要因素，所以測(cè)得氫陷阱區(qū)的大小和密度，可直接用于氫脆敏感性及機(jī)理的評(píng)價(jià)。該方法系以氫的放射性同位素氚充入試樣，當(dāng)氚被各陷阱捕獲時(shí)即能在覆于試樣表面的感光乳膠膜上曝光而留下陷阱的痕跡。放射性同位素的樣品即可做成薄膜，也可以做成復(fù)型，然后在透射式掃描電子顯微鏡下觀察。