摘要

基于電弧熔煉法將可燃毒物硼(B)元素添加到AlNbMoZr基難熔高熵合金(RHEA)中，制備出一種具有中子毒物特性的高強度新型核用RHEA材料。對其進行強度為4 MeV的Kr離子輻照實驗，研究了這種材料的Kr離子輻照損傷行為。室溫壓縮結果表明，AlNbMoZrB合金具有優異的力學性能，其壓縮屈服強度可達1180 MPa，壓縮強度約為1274 MPa，塑性約為4.8%。對輻照前后這種合金的相結構和顯微組織演化的分析結果表明，AlNbMoZrB合金具有典型的枝晶組織，其中枝晶區為無序BCC結構基體相，枝晶間區由FCC結構的Al-Zr相及α-Zr相組成，經Kr離子輻照后α-Zr相發生非晶化轉變，還產生了高密度<100>和1/2<111>型位錯環。在室溫輻照條件下位錯環的體積密度約為4.11×1022 m-3，尺寸為12~16 nm；在300℃輻照條件下位錯環的體積密度降低到約1.63×1022 m-3，尺寸增大到23~27 nm。

關鍵詞： 金屬材料; 難熔高熵合金; 力學性能; 離子輻照; 位錯環; 顯微組織

研制清潔、安全和高效的核能系統(如超高溫反應堆，快反應堆等)是能源領域的熱點問題，但是傳統核結構材料在新型堆惡劣的高溫、強輻照、強腐蝕服役環境中產生輻照硬化、腫脹、氫脆和輻照應力腐蝕[1,2]。由四種及四種以上元素組成的高熵合金(HEAs)，具有獨特的多主元效應和優異的力學性能。研究表明，HEAs獨特的微觀結構使其具有優異的抗輻照性能[3,4]。同時，調控成分和結構可使HEAs滿足特定應用場景的性能要求[5,6]。

目前，對HEAs的研究主要聚焦于面心立方(FCC)及體心立方(BCC)結構HEAs。與具有良好延展性的FCC型HEAs相比[6]，BCC型HEAs多由Ti、Nb、Hf、Mo、Zr、V、Ta和W等難熔元素組成，結構的影響使其室溫塑性較差[9~11]，但是優異的高溫力學性能可滿足核結構材料的嚴苛要求[12~15]。在難熔高熵合金(RHEAs)中添加Nb、Mo、Zr等元素，可使其基體形成穩定的BCC結構[16,17]。一些非難熔元素(Al、B、Si和Ni等)的添加，可進一步提高其綜合性能[18]。在HEAs中添加Al元素可生成復雜氧化物，使其抗高溫氧化能力提高[19~21]。可燃毒物B元素具有高中子吸收截面(750 barns)，將其引入可在時間上補償初期堆芯過剩反應并在空間上平衡功率分布，為RHEAs作為長循環堆芯燃料包殼或彌散燃料的惰性基體提供了可能。Kang等[22]在Al0.1CrNbVMo RHEA中摻入B，使其力學性能顯著提高。

評估核應用前景的關鍵因素，包括對合金輻照損傷行為和機理的研究。本文在AlNbMoZr中添加硼(B)元素制備一種具有可燃毒物特性的新型BCC結構Al5-Nb40-Mo40-Zr15-B0.1 RHEAs(簡稱AlNbMoZrB)，研究其Kr離子輻照損傷行為。

1 實驗方法

使用水冷銅坩堝電弧熔煉法(在高純氬氣保護下)制備難熔高熵合金Al5-Nb40-Mo40-Zr15-B0.1(原子分數，簡稱AlNbMoZrB)鑄錠。原料中的Nb、Mo、Al、Zr等金屬的純度高于99.9%(質量分數)，B元素以AlB3的形式添加。熔煉合金鑄錠前，先熔煉一遍Ti錠以吸收電弧爐內的殘余氧氣。合金錠至少翻轉熔煉6次，每次熔煉時長不少于5 min，以確保成分均勻。

用于測試和分析的所有樣品，均使用線切自鑄錠的中間部分割取。實驗前用400#至5000#砂紙逐級打磨觀察面，然后用粒徑50 nm的SiO2拋光液進行機械拋光至表面鏡面光滑。

使用電子萬能試驗機完成室溫壓縮試驗。壓縮試樣是直徑為4 mm、長度為6 mm的圓柱，壓縮應變速率設置為1×10-3 s-1，重復三次試驗以保證結果的準確性，根據所得的數據畫出試樣的壓縮應力應變曲線。測定XRD譜以分析合金相結構及晶格畸變，用Cu-Kα靶材產生的X射線為射線源，掃描速度為6 (°)/min，2θ范圍為20°~100°。用SEM的背散射電子模式(FEG-SEM, Zeiss Sigma HD)及能譜儀(EDS)分析合金的相結構及元素分布。

使用LC-4離子注入器分別在室溫和300℃對拋光的AlNbMoZrB樣品進行Kr離子輻照，注入能量為4 MeV，最終注入量達到6×1015 ions/cm2。使用聚焦離子束(FIB)技術沿樣品輻照截面制備透射電子顯微鏡(TEM)樣品，其厚度約為50 nm，用TEM及配備的EDS探頭觀察并分析輻照誘導相變、位錯環、Kr泡等缺陷的演化。將樣品按相組成和輻照情況分區分別進行TEM及EDS表征。在不同溫度條件下，以研究經Kr離子輻照后AlNbMoZrB合金的相組成和輻照誘導缺陷的演化。

2 結果和討論

2.1 AlNbMoZrB合金的力學性能和組成

對鑄態AlNbMoZrB合金進行室溫壓縮測試，結果如圖1a所示。可以看出，試樣的屈服強度約為1180 MPa，壓縮強度約為1274 MPa，塑性約為4.8%。AlNbMoZrB合金的XRD譜如圖1b所示，根據特征衍射峰的位置可判斷合金由BCC結構的基體相和FCC結構的Al-Zr相組成。

圖1   鑄態AlNbMoZrB合金的壓縮應力-應變曲線和XRD譜

表1   鑄態合金的室溫壓縮屈服強度、斷裂強度和壓縮率

根據結構或能量和經驗參數可預測并分析高熵合金的相組成及其形成過程，其中價電子濃度(VEC)及混合焓(Hmix)

可用于判斷高熵合金固溶體相類型。式中xi 為第i個元素的原子分數，VEC i 為第i個元素的VEC，為第i和第j分量之間的混合焓，ci 、cj 分別為第i、j元素的原子分數。VEC低于6.87時傾向于形成BCC單相結構，VEC高于8時傾向于形成FCC單相結構，；VEC為6.87~8時易形成FCC+BCC雙相結構[23]，-11.6 kJ/mol<ΔHmix<3.2 kJ/mol時傾向于形成單相固溶體[24]。計算結果表明，AlNbMoZrB合金的VEC為5.15，但是合金中卻含有FCC結構Al-Zr相。這與Al、Zr元素之間的負混合焓(-51.5 kJ/mol)相關，二者間極小的混合焓值使合金的降低到-15.3 kJ/mol，最終導致在含有Al、Zr元素的高熵合金中易于形成Al-Zr相。這表明，熱力學條件主導AlNbMoZrB合金相的形成。

值得注意的是，B元素與Al、Nb、Mo、Zr元素的二元合金混合焓分別為0、-54 kJ/mol、-34 kJ/mol、-71 kJ/mol[25]，但是在XRD譜中并沒有出現明顯的硼化物衍射峰。據此可以推測，B原子可能作為間隙原子溶于合金基體，從而引發晶格畸變并使合金的晶格常數增大。

2.2 AlNbMoZrB合金的SEM形貌

圖2給出了鑄態AlNbMoZrB合金的SEM形貌及對應的EDS和XRD譜。可以看出，AlNbMoZrB合金具有典型的枝晶結構，可分為白色襯度的枝晶區和灰色襯度的枝晶間區(圖2a和2b)。同時，在枝晶間區內還出現了少量黑色襯度的相組織。圖2c中標注的點A、B、C分別對應白、灰、黑三種襯度的相組織，其EDS結果列于表2(由于B元素屬于輕原子且名義含量僅為0.1%(原子分數)，測得結果存在誤差，因此沒有標注B元素的含量)。由EDS結果可知，在枝晶區(點A)Nb、Mo和B元素富集，枝晶間區Al和Zr元素富集，且黑色枝晶間區(點C)Zr元素的濃度比灰色枝晶間區(點B)的高。結合XRD譜的表征結果可知，白色枝晶區即為BCC結構固溶體基體相，灰色枝晶間區和黑色枝晶間區分別為FCC結構Al-Zr相和HCP結構α-Zr相。

圖2   鑄態AlNbMoZrB合金的背散射圖、EDS面和點掃描圖

表2   鑄態AlNbMoZrB合金的EDS點掃描結果

為了更好地觀察B元素在合金中的分布，對AlNbMoZrB鑄態合金進行了低電壓模式掃描，圖3給出的EDS面掃描結果與高電壓模式下的結果一致。Al、Zr元素主要分布在枝晶間區，而Nb、Mo、B元素主要分布在枝晶區，且沒有生成硼化物。結合XRD譜的分析結果進一步證明，B元素以間隙原子的形式固溶在合金基體中。

圖3   鑄態AlNbMoZrB合金低電壓下的背散射圖和面掃圖

2.3 AlNbMoZrB合金Kr離子輻照損傷行為

圖4給出了在室溫條件輻照樣品的TEM形貌。根據圖4可判斷在室溫和300℃輻照影響區的深度分別約為1200 nm及1300 nm。圖4a~c對應室溫輻照樣品的TEM圖像，其中a1~a3位置在輻照影響區內，a4~a6位置未受輻照影響，各點對應的EDS結果列于表3。其中，a3及a5區域Nb、Mo元素富集，a3區域所對應的TEM圖像和選區衍射譜(SAED)如圖4b所示，SAED圖像(沿[001]區軸)證明該位置對應BCC結構，因此a5、a3區域分別為輻照前后AlNbMoZrB合金枝晶區BCC結構基體相，枝晶區元素成分及晶體結構未發生變化。此外結合此前的SEM及XRD結果可知，a2、a6位置Al、Zr元素富集，對應枝晶間區Al-Zr相，而a1位置EDS結果顯示其Zr元素含量高達~71.4%，對應枝晶間區α-Zr相。圖4c中a1區域的TEM及SAED圖像呈現出典型非晶衍射花樣特征，證明在室溫離子輻照下的AlNbMoZrB合金發生了α-Zr相輻照誘導非晶化轉變。這些α-Zr相在高能離子輻照下，由于級聯碰撞產生的點缺陷使其有序結構受到破壞，無序化程度的累積最終使其發生非晶化轉變[26]。與高溫相比，室溫輻照條件下點缺陷復合速率較低，系統自由能易于升高，因此非晶化轉變的臨界輻照劑量降低，更容易發生非晶化轉變[27]。

圖4   AlNbMoZrB在4.8×1015/cm2 Kr離子輻照條件下的室溫TEM形貌

表3   AlNbMoZrB合金室溫輻照點掃描結果

圖4d~f給出了Kr離子在300℃輻照AlNbMoZrB合金樣品的TEM形貌和SAED表征結果，對應的EDS結果列于表4。根據輻照影響區范圍，d3和d4的位置處于未輻照區，其余位置都受到了輻照。EDS結果表明，在d1~d4的位置Nb、Mo元素富集，為BCC基體相；在d5、d7的位置Al、Zr元素富集，為枝晶間區Al-Zr相；在d6的位置Zr元素的含量高達~74.96%(原子分數)，對應α-Zr相。圖4e和4f分別對應d4區域和d1區域的TEM形貌和SAED圖像，即輻照前后的BCC基體相。對比衍射花樣可知，輻照后的合金基體仍保持BCC結構，沒有發生相變。

表4   AlNbMoZrB合金在300℃輻照的點掃描結果

從圖5給出的TEM形貌可見，Kr離子輻照后的AlNbMoZrB合金基體中出現大量黑點狀的輻照誘導位錯環，其分布深度可達1300 nm。統計結果表明，常溫Kr離子輻照產生的位錯環其體積密度為4.11×1022 m-3，尺寸為12~16 nm；300℃輻照產生的位錯環其體積密度約為室溫輻照的1/4(即為1.63×1022 m-3)，尺寸增大到23~27 nm。這表明，隨著輻照溫度的升高位錯環的數量減少而尺寸增大。其原因是，在高溫下可動型位錯環的擴散速率提高，使大量位錯環復合后尺寸增長。

圖5   室溫輻照和300℃輻照AlNbMoZrB合金雙束條件下的TEM形貌

輻照后體心立方結構金屬中的位錯環，以<100>型和1/2<111>型兩種間隙型位錯環為主[28]。為了進一步比較不同類型位錯環密度，圖5給出了雙束條件下的TEM表征結果。選取g0-1-1，g01-1，g00-2為g矢量方向，依據不可見準則g·b＝0，結合衍射條件可以判斷：經Kr離子輻照后AlNbMoZrB合金中產生的1/2<111>型位錯環其體積密度大于<100>型位錯環。不同類型位錯環的結構特性，顯著影響合金的力學性能[29]。溫度低于500℃時<100>型位錯環為不可動型位錯環，大量的<100>型位錯環阻礙位錯運動從而使材料發生輻照硬化。1/2<111>型位錯環為可動型位錯環，在應力作用下可分解生成<100>型位錯片段，使材料發生硬化效應。而AlNbMoZrB合金中產生的輻照誘導缺陷大部分為1/2<111>型位錯環，對力學性能的影響較小。

3 結論

(1) 在AlNbMoZr基高熵合金中添加少量B元素可制備一種具有中子毒性的結構功能一體化高熵合金AlNbMoZrB。鑄態AlNbMoZrB合金具有優異的力學性能

(2) AlNbMoZrB合金具有典型的樹枝晶結構，枝晶區富集Mo、Nb和B元素為BCC結構基體相，而Al、Zr元素富集在枝晶間區，形成Al-Zr相及α-Zr相，B元素主要以間隙原子的形式固溶在基體中。

(3) Kr離子輻照使AlNbMoZrB合金枝晶間區中的α-Zr相非晶化，而基體BCC相和Al-Zr相在常溫和300℃均不發生相變。

(4) Kr離子輻照使AlNbMoZrB合金產生大量位錯環，輻照溫度的升高使位錯環的復合效應增強、體積密度降低和尺寸增大。AlNbMoZrB合金中的位錯環對其力學性能的影響較小。

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