DDR4與DDR3的區別

    DDR4內存是新一代的內存規格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內存。

    DDR4相比DDR3最大的區別有三點：16bit預取機制（DDR3為8bit），同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規范，數據可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節能。

    同樣內核頻率下DDR4理論速度是DDR3的兩倍，這又是因為什么呢？

    首先，我們來看看DDR4的結構：

圖1 DDR連接器配對結構

    DDR與主機實現數據交換需要“金手指”與插槽的配合，這就是內存的連接結構。

    根據我們已知的DDR3內存的默認頻率為1333/1600MHz，而DDR4內存的默認頻率則達到了2133Mbps~4266Mbps之間。

圖2 DDR傳輸速率的代次更替及連接器主要結構

    在工藝一定的情況下，頻率上升帶來的問題也很麻煩，主要是溫度變高、工作穩定性降低、信號傳輸穩定性變差等。對運行中的筆記本進行熱成像掃描如下：

圖3 筆記本主板熱成像溫度監控

    1 常用于DDR插槽的銅合金牌號有黃銅H62、磷青銅C5191、銅鎳硅合金C7025等。

    表1 三種常用材料的性能對比

    黃銅的強度較低，且長期保持一定大小的夾持力的能力較差。隨著工作溫度的升高，出現高溫下夾持端子軟化，接觸電阻增大產生更多的熱，加劇溫升的單惡化。磷青銅導電性能比黃銅還要低，本身產生較多的熱量，且熱傳導系數低。

    目前，博威合金研發的替代磷青銅的新型合金材料PW33520，在導電率方面進行了提升，以改善DDR在信息傳輸工作中的發熱現象。

    2 以下兩張圖給出了寧波博威合金材料股份有限公司自主研發的高性能PW33520材料對磷青銅的性能對比

圖4 PW33520材料對磷青銅的性能對比

    PW33520導電率比磷青銅高出200%；

    100℃，50%Y0.2加載應力條件下，抗應力松弛能力優秀。

圖5 PW33520材料掃面電鏡成像

    PW33520

    PW33520新型合金采用了析出強化型加工工藝，在高溫條件下保持較好的彈性，穩定的接觸結構，能夠廣泛應用于各類接插件。

    目前主要應用于LCD端子、電源插座、繼電器、電子連接器、通訊服務器等多個領域端子。

    結  論

    電子產品的輕薄便捷化成為主流趨勢，如何解決結構壓縮帶來的散熱問題是制約電子產品性能提升的重要課題。銅是當前市場上最好的散熱材料，保證接觸強度又能有效解決散熱的新型銅材無疑是提升產品性能的一條捷徑。

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責任編輯：殷鵬飛

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